MJD31CAJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD31CAJ

Gehäuse: DPAK

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK

Parameter

Verlustleistung:	1,6W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	50
Hersteller:	Nexperia
Gehäuse:	DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: MJD31CAJ Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1015

Verlustleistung:	1,6W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	50
Hersteller:	Nexperia
Gehäuse:	DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN