MJD32C

Symbol Micros: TMJD32c

Gehäuse: TO252

Darl. PNP 3A 100V 15W Darl. PNP 3A 100V 15W

Parameter

Verlustleistung:	1,56W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	50
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO252
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MJD32C-13 Gehäuse: TO252

Externes Lager:

20000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1096

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD32CT4 Gehäuse: TO252

Externes Lager:

30000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1073

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD32CT4 Gehäuse: TO252

Externes Lager:

212510 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1110

Verlustleistung:	1,56W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	50
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO252
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP