MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Symbol Micros:
TMJD32CJ
Gehäuse: DPAK
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
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Parameter
Verlustleistung: | 1,6W |
Grenzfrequenz: | 3MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
Hersteller: | Nexperia |
Gehäuse: | DPAK |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Verlustleistung: | 1,6W |
Grenzfrequenz: | 3MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
Hersteller: | Nexperia |
Gehäuse: | DPAK |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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