MJD45H11T4

Symbol Micros: TMJD45h11t4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,75W
Grenzfrequenz: 90MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
1280 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7107 0,4499 0,3542 0,3230 0,3087
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
52500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3087
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
505000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3087
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
135000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3087
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 1,75W
Grenzfrequenz: 90MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP