MJD50

Symbol Micros: TMJD50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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NPN 1A 400V 15W NPN 1A 400V 15W
Parameter
Verlustleistung: 1,56W
Grenzfrequenz: 10MHz
Stromverstärkungsfaktor: 150
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD50G Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3474
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD50G Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
750 stk.
Anzahl Stück 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3231
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD50T4G Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
25000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2365
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 1,56W
Grenzfrequenz: 10MHz
Stromverstärkungsfaktor: 150
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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