FJP13009

Symbol Micros: TMJE13009 fai
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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NPN 12A 400V 2W 4MHz NPN 12A 400V 2W 4MHz
Parameter
Verlustleistung: 100W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 28
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FJP13009H2TU RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
139 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8378 1,3638 1,1349 1,0952 1,0812
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Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FJP13009H2TU Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0812
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 100W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 28
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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