MJE13009 JSMICRO

Symbol Micros: TMJE13009 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN-Transistor; 40; 100W; 400V; 12A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU;
Parameter
Verlustleistung: 100W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 40
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE13009 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8850 0,5558 0,4367 0,4110 0,3853
Standard-Verpackung:
50/100
Verlustleistung: 100W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 40
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN