MJE15030G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMJE15030 ons
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
NPN 150V 8A 50W 30MHz NPN 150V 8A 50W 30MHz
Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 30MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO220AB
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 30MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO220AB
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN