MJE15035G
Symbol Micros:
TMJE15035
Gehäuse: TO220AB
Transistor : PNP; Bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Transistor : PNP; Bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Parameter
| Verlustleistung: | 50W |
| Grenzfrequenz: | 30MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 350V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJE15035G
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
650 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6041 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJE15035G
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
1650 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6190 |
| Verlustleistung: | 50W |
| Grenzfrequenz: | 30MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 350V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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