MMBF170 ONS
Symbol Micros:
TMMBF170lt1
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10.000 Stück/T&R);
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF170LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8179 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1987 | 0,1006 | 0,0609 | 0,0483 | 0,0441 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF170LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
84000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0441 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF170
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
36000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0441 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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