MMBF170 ONS

Symbol Micros: TMMBF170lt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10.000 Stück/T&R);

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF170LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
8179 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1995 0,1010 0,0612 0,0485 0,0443
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Standard-Verpackung:
3000/33000
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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