MMBF170 ONS

Symbol Micros: TMMBF170lt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R)

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF170LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9409 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1988 0,1007 0,0610 0,0484 0,0442
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Standard-Verpackung:
3000/33000
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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