MMBF4391LT1G

Symbol Micros: TMMBF4391
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4391LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2555 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2687 0,1421 0,1103 0,1016 0,0974
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-JFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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