MMBF4391LT1G

Name: TMMBF4391 TMMBF4391
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMMBF4391
Price: 0.0972 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMMBF4391

Gehäuse: SOT23-3

N-JFET-Transistor; 30V; 30V; 30V; 30 Ohm; 150mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	30Ohm
Max. Drainstrom:	150mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4391LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

2555 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2681	0,1417	0,1100	0,1014	0,0972

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4391LT1G Gehäuse: SOT23-3

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84000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0972

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4391LT1G Gehäuse: SOT23-3

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120000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0972

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4391LT1G Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0972

Widerstand im offenen Kanal:	30Ohm
Max. Drainstrom:	150mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD