MMBF5103
Symbol Micros:
TMMBF5103
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-JFET-Transistor; 40V; 40V; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 RoHS 66A...
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Auf Lager:
155 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2603 | 0,1663 | 0,1165 | 0,1013 | 0,0947 |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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