MMBF5103

Symbol Micros: TMMBF5103
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-JFET-Transistor; 40V; 40V; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 RoHS 66A... Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
155 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2618 0,1672 0,1172 0,1019 0,0953
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0953
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
2300 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0953
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD