MMBF5103

Symbol Micros: TMMBF5103
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R

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Parameter
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-JFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 RoHS 66A... Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
155 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2757 0,1759 0,1234 0,1073 0,1002
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Standard-Verpackung:
200
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-JFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 40V
Montage: SMD

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