MMBFJ111
Symbol Micros:
TMMBFJ111
Gehäuse: SOT23
N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 30 Ohm; 20mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMBFJ111;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 30Ohm |
Max. Drainstrom: | 20mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 35V |
Transistor-Typ: | N-JFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: MMBFJ111 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1475 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2123 | 0,1077 | 0,0653 | 0,0517 | 0,0472 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBFJ111
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0904 |
Widerstand im offenen Kanal: | 30Ohm |
Max. Drainstrom: | 20mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 35V |
Transistor-Typ: | N-JFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 35V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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