MMBFJ111

Symbol Micros: TMMBFJ111
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 30 Ohm; 20mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMBFJ111;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 20mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Transistor-Typ: N-JFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: MMBFJ111 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1475 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2123 0,1077 0,0653 0,0517 0,0472
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ111 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0904
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 20mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 35V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD