MMBFJ113

Symbol Micros: TMMBFJ113
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 100Ohm; 2mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100Ohm
Max. Drainstrom: 2mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Transistor-Typ: N-JFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ113 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
9000 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,0765
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100Ohm
Max. Drainstrom: 2mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 35V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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