MMBFJ176
Symbol Micros:
TMMBFJ176
Gehäuse: SOT23
P-JFET 30V PMBFJ176
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 250Ohm |
| Max. Drainstrom: | 25mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-JFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 250Ohm |
| Max. Drainstrom: | 25mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-JFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | SMD |
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