MMBFJ176
Symbol Micros:
TMMBFJ176
Gehäuse: SOT23
P-JFET-Transistor; 30V; 30V; 250Ohm; 25mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMBFJ176;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 250Ohm |
| Max. Drainstrom: | 25mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-JFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBFJ176
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1436 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBFJ176
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
7300 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1687 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 250Ohm |
| Max. Drainstrom: | 25mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-JFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole