MMBFJ177

Symbol Micros: TMMBFJ177
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Gehäuse: SOT23
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P-JFET-Transistor; 30V; 30V; 300 Ohm; 20mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300Ohm
Max. Drainstrom: 20mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-JFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ177LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1847 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3785 0,2089 0,1643 0,1521 0,1458
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 300Ohm
Max. Drainstrom: 20mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-JFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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