MMBFJ309

Symbol Micros: TMMBFJ309

Gehäuse:

N-JFET-Transistor; 25V; 25V; 30mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MMBFJ309LT1G;

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Parameter

Max. Drainstrom:	30mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ309LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0835

Max. Drainstrom:	30mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD