MMBFJ310

Symbol Micros: TMMBFJ310

Gehäuse: SOT23

N-JFET-Transistor; 25V; 25V; 60mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MMBFJ310LT1G; MMBFJ310LT3G;

Parameter

Max. Drainstrom:	60mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ310LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

7240 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3241	0,1791	0,1408	0,1303	0,1250

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ310LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1250

Max. Drainstrom:	60mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD