MMBT2222LT1G
Symbol Micros:
TMMBT2222
Gehäuse: SOT23-3
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5200 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0978 | 0,0385 | 0,0225 | 0,0165 | 0,0150 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0150 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
24000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0150 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
216000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0150 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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