MMBT2222A-7-F

Symbol Micros: TMMBT2222A-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 75V; 40V; 300MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 75V; 40V; 300MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 75V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMBT2222A-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0925 0,0364 0,0213 0,0156 0,0142
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMBT2222A-7-F Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
222000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0142
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMBT2222A-7-F Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
231000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0142
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 75V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN