MMBT2222ALT1G
Symbol Micros:
TMMBT2222alt1
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 300MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0748 | 0,0295 | 0,0172 | 0,0126 | 0,0115 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
192000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0115 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT3G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0115 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
38717 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0115 |
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 300MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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