MMBT2222ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2222alt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0748 0,0295 0,0172 0,0126 0,0115
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
192000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0115
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0115
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
38717 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0115
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN