MMBT2222ALT1G

Name: TMMBT2222alt1 TMMBT2222alt1
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMMBT2222alt1
Price: 0.0117 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMMBT2222alt1

Gehäuse: SOT23

Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter

Verlustleistung:	350mW
Grenzfrequenz:	300MHz
Stromverstärkungsfaktor:	300
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	40V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

2200 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0763	0,0300	0,0176	0,0128	0,0117

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

2124000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0117

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0117

Verlustleistung:	350mW
Grenzfrequenz:	300MHz
Stromverstärkungsfaktor:	300
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	40V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN