MMBT2369LT1G

Symbol Micros: TMMBT2369
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 120
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2369LT1G RoHS M1J or 1JA Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1336 0,0535 0,0311 0,0259 0,0243
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 120
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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