MMBT2369ALT1G
Symbol Micros:
TMMBT2369a
Gehäuse: SOT23
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 120 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 15V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2369ALT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1184 | 0,0544 | 0,0297 | 0,0221 | 0,0197 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2369ALT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0212 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2369ALT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0208 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2369ALT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
579000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0215 |
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 120 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 15V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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