MMBT2907AWT1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMMBT2907aw
Gehäuse: SOT323
PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: | 150mW |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 340 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT323 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2907AWT1G RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
880 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0974 | 0,0383 | 0,0224 | 0,0164 | 0,0150 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2907AWT1G
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0155 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2907AWT1G
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0157 |
Verlustleistung: | 150mW |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 340 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT323 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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