MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMMBT2907aw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 340
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907AWT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
880 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0974 0,0383 0,0224 0,0164 0,0150
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907AWT1G Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0155
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907AWT1G Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0157
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 150mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 340
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP