MMBT3904-1AM SOT23 MDD

Symbol Micros: TMMBT3904 MDD

Gehäuse: SOT23

Transistor PNP; Bipolar; 300mV; 200mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; Bipolar; 300mV; 200mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Stromverstärkungsfaktor:	100
Grenzfrequenz:	300MHz
Hersteller:	MDD
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	0,3V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2024-08-20

Anzahl Stück: 3000

Verlustleistung:	200mW
Stromverstärkungsfaktor:	100
Grenzfrequenz:	300MHz
Hersteller:	MDD
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	0,3V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP