MMBT5401

Symbol Micros: TMMBT5401 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; Bipolar; 300; -150V; -5V; 100MHz; -600mA; 350mW; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 300; -150V; -5V; 100MHz; -600mA; 350mW; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: YFW
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: -600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: -150V
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: MMBT5401 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0620 0,0232 0,0124 0,0093 0,0086
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: YFW
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: -600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: -150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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