MMBT5401
Symbol Micros:
TMMBT5401 c
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; Bipolar; 300; -150V; -5V; 100MHz; -600mA; 350mW; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 300; -150V; -5V; 100MHz; -600mA; 350mW; -55°C~150°C;
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Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Hersteller: | YFW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | -600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | -150V |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Hersteller: | YFW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | -600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | -150V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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