MMBT5401LT1G ONS

Symbol Micros: TMMBT5401 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 500mA 150V 225mW 300MHz PNP 500mA 150V 225mW 300MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5401LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1248 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1357 0,0624 0,0339 0,0255 0,0226
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5401LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
642000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0226
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5401LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
190000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0226
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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