MMBT5401

Symbol Micros: TMMBT5401 YY
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Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; Bipolar; 160V; 6V; 300MHz; 600mA; 300mW; 300; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 160V; 6V; 300MHz; 600mA; 300mW; 300; -55°C~150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: YY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: MMBT5401 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0612 0,0229 0,0123 0,0092 0,0084
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: YY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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