MMBT5551

Symbol Micros: TMMBT5551 ANB
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Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: AnBon
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 180V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: AnBon Hersteller-Teilenummer: MMBT5551 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0768 0,0297 0,0144 0,0115 0,0110
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: AnBon
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 180V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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