MMBT5551 China
Symbol Micros:
TMMBT5551 c
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 600mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Hersteller: | HOTTECH |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 180V |
| Verlustleistung: | 600mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Hersteller: | HOTTECH |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 180V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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