MMBT5551 G1 WEJ
Symbol Micros:
TMMBT5551 G1 WEJ
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;
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Parameter
Verlustleistung: | 200mW |
Grenzfrequenz: | 300MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
Hersteller: | WEJ |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Verlustleistung: | 200mW |
Grenzfrequenz: | 300MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
Hersteller: | WEJ |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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