MMBT5551LT1G
Symbol Micros:
TMMBT5551 ON
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT5551LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5651 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1243 | 0,0569 | 0,0311 | 0,0232 | 0,0207 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT5551LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
305951 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0207 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT5551LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
408998 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0207 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT5551LT3G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0207 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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