MMBT5551M3T5G

Name: TMMBT5551m3 TMMBT5551m3
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMMBT5551m3
Price: 0.0607 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMMBT5551m3

Gehäuse: SOT723

Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723

Parameter

Verlustleistung:	640mW
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT723
Max. Kollektor-Strom [A]:	60mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	160V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5551M3T5G RoHS Gehäuse: SOT723 Datenblatt

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2125	0,1163	0,0764	0,0659	0,0607

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5551M3T5G Gehäuse: SOT723

Externes Lager:

32000 stk.

Anzahl Stück	8000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0607

Verlustleistung:	640mW
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT723
Max. Kollektor-Strom [A]:	60mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	160V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN