MMBT5551M3T5G

Name: TMMBT5551m3 TMMBT5551m3
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMMBT5551m3
Price: 0.0618 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMMBT5551m3

Gehäuse: SOT723

Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723

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Parameter

Verlustleistung:	640mW
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT723
Max. Kollektor-Strom [A]:	60mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	160V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5551M3T5G RoHS Gehäuse: SOT723 Datenblatt

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2165	0,1185	0,0778	0,0671	0,0618

Verlustleistung:	640mW
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT723
Max. Kollektor-Strom [A]:	60mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	160V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN