MMBT6427 smd
Symbol Micros:
TMMBT6427
Gehäuse: SOT23
darl.NPN 1.2A 40V 350mW darl.NPN 1.2A 40V 350mW
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200000 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT6427LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1218 | 0,0558 | 0,0305 | 0,0227 | 0,0203 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT6427LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
129000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0203 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT6427LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0203 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200000 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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