MMBT7002K DIOTEC

Symbol Micros: TMMBT7002k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MMBT7002K-DIO;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMBT7002K RoHS K72 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
251 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 250+ 1251+ 6255+
Nettopreis (EUR) 0,1007 0,0401 0,0223 0,0170 0,0155
Standard-Verpackung:
1251
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMBT7002K Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0155
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMBT7002K Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
2160 stk.
Anzahl Stück 20+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0194
Standard-Verpackung:
20
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD