MMBTA06LT1G

Symbol Micros: TMMBTA06lt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA06LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
4956 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1333 0,0612 0,0332 0,0250 0,0222
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA06LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
2892000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0222
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA06LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0222
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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