MMBTA06LT1G

Symbol Micros: TMMBTA06lt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA06LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
4056 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1256 0,0576 0,0315 0,0235 0,0209
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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