MMBTA13

Symbol Micros: TMMBTA13 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 350mW; SOT23 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 350mW; SOT23
Parameter
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: MMBTA13 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
2995 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1276 0,0585 0,0318 0,0238 0,0213
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Standard-Verpackung:
3000
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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