MMBTA13LT1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMMBTA13l
Gehäuse: SOT23-3
Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 125MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 300mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTA13LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1900 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1353 | 0,0620 | 0,0338 | 0,0252 | 0,0225 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTA13LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
105000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0225 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 125MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 300mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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