MMBTA14LT1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMMBTA14l
Gehäuse: SOT23-3
Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 125MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 300mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTA14LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
820 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1063 | 0,0418 | 0,0245 | 0,0179 | 0,0163 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTA14LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0216 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTA14LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0217 |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 125MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 300mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole