MMBTA92

Symbol Micros: TMMBTA92 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; Bipolar; 300V; 300V; 50Mhz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 300V; 300V; 50Mhz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 40
Grenzfrequenz: 50MHz
Hersteller: JSMSEMI
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: MMBTA92 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0932 0,0368 0,0214 0,0157 0,0143
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: MMBTA92 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
830 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0932 0,0368 0,0214 0,0157 0,0143
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Standard-Verpackung:
830
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: MMBTA92 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0932 0,0368 0,0214 0,0157 0,0143
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 40
Grenzfrequenz: 50MHz
Hersteller: JSMSEMI
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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