MMBTH10
Symbol Micros:
TMMBTH10
Gehäuse: SOT23
NPN 25V 650MHz 225mW 50mA NPN 25V 650MHz 225mW 50mA
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Grenzfrequenz: | 650MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 50mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTH10LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
48000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0274 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTH10LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
36000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0288 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Grenzfrequenz: | 650MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 50mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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