MMBTH10

Symbol Micros: TMMBTH10

Gehäuse: SOT23

NPN 25V 650MHz 225mW 50mA NPN 25V 650MHz 225mW 50mA

Parameter

Verlustleistung:	350mW
Grenzfrequenz:	650MHz
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	50mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBTH10LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

48000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0272

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBTH10LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0284

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBTH10M3T5G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

16000 stk.

Anzahl Stück	8000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0339

Verlustleistung:	350mW
Grenzfrequenz:	650MHz
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	50mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN