MMDT2227

Symbol Micros: TMMDT2227
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor : NPN / PNP; Bipolar; 40/60V; 0,6A; 200mW; SOT363 Transistor : NPN / PNP; Bipolar; 40/60V; 0,6A; 200mW; SOT363
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 85
Hersteller: KEXIN
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: KEXIN Hersteller-Teilenummer: MMDT2227 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r  
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2900+
Nettopreis (EUR) 0,1175 0,0540 0,0292 0,0219 0,0196
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2900
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMDT2227 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0209
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 85
Hersteller: KEXIN
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP+NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole