MMDT5401-7-F
Symbol Micros:
TMMDT5401-7-F Diodes
Gehäuse: SOT363
Transistor PNP; Bipolar; 240; 6V; 320mW; 150V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 240; 6V; 320mW; 150V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 320mW |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
| Verlustleistung: | 320mW |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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