MMDT5551-7-F
Symbol Micros:
TMMDT5551-7-F Diodes
Gehäuse: SOT363
Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C; Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
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Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-7-F RoHS .K4N
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2058 | 0,1044 | 0,0631 | 0,0501 | 0,0457 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
249000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0457 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
78000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0457 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
45000 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0457 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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