MMST5551-TP

Symbol Micros: TMMST5551-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor : NPN; Bipolar; 160V; 0,2A; 200mW; SOT323 Transistor : NPN; Bipolar; 160V; 0,2A; 200mW; SOT323
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: MMST5551-TP RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1876 0,0890 0,0502 0,0381 0,0341
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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