MMUN2112LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2112
Gehäuse: SOT23
Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: | 400mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2112LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0626 | 0,0234 | 0,0125 | 0,0094 | 0,0086 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2112LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0170 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2112LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0162 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2112LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0162 |
Verlustleistung: | 400mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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