MMUN2212LT1G
Symbol Micros:
TMMUN2212
Gehäuse: SOT23
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: | 400mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2212LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0720 | 0,0278 | 0,0135 | 0,0108 | 0,0103 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2212LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1260000 stk.
Anzahl Stück | 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0103 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2212LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0103 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2212LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0104 |
Verlustleistung: | 400mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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