MMUN2212LT1G

Name: TMMUN2212 TMMUN2212
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMMUN2212
Price: 0.0103 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMMUN2212

Gehäuse: SOT23

Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23

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Parameter

Verlustleistung:	400mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	100
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2212LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0724	0,0280	0,0136	0,0108	0,0103

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2212LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

63000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0103

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2212LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

279000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0104

Verlustleistung:	400mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	100
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN