MMUN2216LT1G

Symbol Micros: TMMUN2216
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Stromverstärkungsfaktor: 350
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2216LT1G RoHS Gehäuse: SOT23 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 10+ 20+ 90+ 540+ 3240+
Nettopreis (EUR) 0,0737 0,0471 0,0214 0,0127 0,0105
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Standard-Verpackung:
90
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2216LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0737 0,0282 0,0162 0,0118 0,0105
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2216LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0169
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 400mW
Stromverstärkungsfaktor: 350
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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