MMUN2231LT1G

Symbol Micros: TMMUN2231
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Stromverstärkungsfaktor: 15
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2231LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0916 0,0361 0,0211 0,0154 0,0141
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 400mW
Stromverstärkungsfaktor: 15
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN