MMUN2233LT1G ONS

Symbol Micros: TMMUN2233
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23

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Parameter
Verlustleistung: 400mW
Stromverstärkungsfaktor: 200
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2233LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1012 0,0400 0,0233 0,0170 0,0156
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 400mW
Stromverstärkungsfaktor: 200
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN