MMUN2233LT1G ONS
Symbol Micros:
TMMUN2233
Gehäuse: SOT23-3
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23
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Parameter
Verlustleistung: | 400mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 200 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2233LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1017 | 0,0402 | 0,0234 | 0,0171 | 0,0156 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2233LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
201000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0156 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMUN2233LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
63000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0156 |
Verlustleistung: | 400mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 200 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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